[发明专利]一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器有效
| 申请号： | 201810968368.5 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109187660B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵晓辉;俞一冰;田晓宇;张露莹;蒋洪川;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，属于氢气传感器技术领域。所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层、半导体薄膜层、敏感层、氢敏金属薄膜层和下电极层，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的柱状阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构。本发明氢气传感器具有对氢气选择性好、灵敏度高、响应速度快、精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 网状结构 半导体 氢气 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯网状结构的半导体型氢气传感器，其特征在于，所述氢气传感器包括自上而下依次设置的上电极层(1)、半导体薄膜层(2)、敏感层、氢敏金属薄膜层(6)和下电极层(7)，所述敏感层为位于半导体薄膜层和氢敏金属薄膜层之间的阵列结构，每个阵列单元包括与半导体薄膜层接触的半导体纳米柱(3)、与氢敏金属薄膜接触的氢敏金属纳米柱(5)、以及包覆于半导体纳米柱和氢敏金属纳米柱侧面的石墨烯网状结构(4)。
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