[发明专利]一种SiC MOSFET驱动保护电路及其保护方法有效
| 申请号： | 201810968972.8 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109302169B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 任强;赵雪峰;席小鹭 | 申请（专利权）人： | 北京长峰天通科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/16 |
| 代理公司： | 长沙启昊知识产权代理事务所(普通合伙) 43266 | 代理人： | 谢珍贵 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET驱动保护电路及其驱动保护方法。该电路包括采样比较模块、信号锁存及逻辑控制模块、外部控制模块和误开通抑制执行模块。该驱动电路能够解决SiC MOSFET工作过程中由于各种原因引起的误开通问题，同时可通过处理器监控误开通抑制信号的频率，判断当前电路工作的环境，实时调节SiC MOSFET的开关频率和工作状态，可以大大增加电路的可靠性，延长器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 驱动 保护 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET驱动保护电路，其特征在于，包括采样比较模块、信号锁存及逻辑控制模块、外部控制模块和误开通抑制执行模块；所述采样比较模块在SiC MOSFET关断期间，完成对栅极信号的采样，以及与参考电压信号进行比较，比较为干扰信号时向信号锁存及逻辑控制模块发送触发信号；所述信号锁存及逻辑控制模块依据触发信号对处于关断期间的SiC MOSFET关断状态进行锁存，并将锁存信号发送所述外部控制模块和所述误开通抑制执行模块；所述外部控制模块通过接收所述信号锁存及逻辑控制模块发出的锁存信号后，实时监测所述锁存信号的变化，以及依据监测锁存信号的变化调整SiC MOSFET的工作频率；所述误开通抑制执行模块根据所述信号锁存及逻辑控制模块发出的锁存信号，触发一个非SiC MOSFET的MOSFET器件导通。
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