[发明专利]一种复合结构的金属氧化物半导体二极管在审
| 申请号： | 201810970629.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119489A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨梦琦;何文静;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体二极管。本发明的有益效果为：在原专利提出的新型半导体二极管的基础上，添加了正电荷柱区以及P型埋层，正电荷柱区有利于在正向导通时感应出负电荷，产生多子电子的积累层，为多子电流的流动提供了一条低阻通路，降低正向导通压降；反向阻断时，P型埋层与N型漂移区之间引入了横向电场，辅助耗尽漂移区，使得横向电场分布更加均匀，纵向电场更加接近矩形分布，提高半导体二极管的反向耐压。解决了浅槽金属氧化物二极管在正向导通压降较低时反向耐压不高的问题，使得浅槽金属氧化物二极管在保证较低正向导通压降的同时，实现较高的反向耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 正向导通压降 反向耐压 金属氧化物半导体二极管 半导体二极管 金属氧化物 二极管 横向电场 正电荷 浅槽 柱区 功率半导体技术 低阻通路 反向阻断 复合结构 矩形分布 正向导通 纵向电场 负电荷 积累层 漂移区 耗尽 引入 流动 保证 | ||
【主权项】：
1.一种复合结构的金属氧化物半导体二极管，包括从下至上依次层叠设置的阴极电极(1)、N+衬底(2)、N型漂移区(3)、N‑掺杂区(4)以及阳极电极(9)；所述阳极电极(9)的两端垂直向下延伸入N‑掺杂区(4)中，N‑掺杂区(4)与阳极电极(9)向下延伸的部分之间具有N型重掺杂区(5)；两侧的N型重掺杂区(5)之间的N‑掺杂区(4)上表面具有平面栅结构，所述平面栅结构位于阳极电极(9)中，所述平面栅结构包括栅氧化层(10)和位于栅氧化层(10)上表面的多晶硅栅电极(11)，栅氧化层(10)下表面与部分N型重掺杂区(5)上表面接触；所述阳极电极(9)两侧向下延伸部分的下方具有P型重掺杂区(6)，所述P型重掺杂区(6)的一侧侧面与N型重掺杂区(5)的侧面接触，所述P型重掺杂区(6)与阳极电极(9)短接，N型重掺杂区(5)通过P型重掺杂区(6)与阳极电极(9)短接，所述P型重掺杂区(6)的下表面与N型漂移区(3)上表面之间具有P型层(7)，其特征在于：所述平面栅结构下方具有二氧化硅沟槽(12)，所述二氧化硅沟槽(12)的顶部与多晶硅栅电极(11)接触，并从两侧的P型层(7)之间延伸入N型漂移区(3)中，所述二氧化硅沟槽(12)中填充有正电荷，所述N型漂移区(3)中具有P型埋层(8)，所述P型埋层(8)位于二氧化硅沟槽(12)的正下方。
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