[发明专利]基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201810970968.5 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109148686B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 狄重安;申弘光;金文龙;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于有机晶体管的仿生适应型感受器及其制备方法与应用。该适应型OFET，由下至上依次包括栅电极、下绝缘层、半导体中间层、上绝缘层和半导体传输层以及同时位于所述半导体传输层之上的源电极和漏电极。该类适应型OFET结构具有普适性，半导体传输层、半导体中间层以及绝缘层的材料可以灵活选择，同时可以灵活调控各层的厚度及界面特性，从而使得适应性衰减时间参数可在10 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 适应型 传输层 有机晶体管 感受器 中间层 制备 绝缘层 界面特性 冷热感觉 灵活选择 上绝缘层 时间参数 衰减幅度 下绝缘层 漏电极 普适性 源电极 栅电极 灵活 触觉 衰减 嗅觉 匹配 应用 视觉 调控 | ||
【主权项】：
1.一种基于OFET的仿生适应型感受器，由下至上依次包括栅电极、下绝缘层、半导体中间层、上绝缘层和半导体传输层以及同时位于所述半导体传输层之上的源电极和漏电极；/n构成所述上绝缘层和下绝缘层的材料为无机绝缘材料、有机绝缘材料或电解质绝缘材料；/n其中，所述无机绝缘材料为二氧化硅、三氧化二铝、二氧化锆或五氧化二钽；/n其中，所述有机绝缘材料为聚乙烯醇肉桂酸酯、聚乙烯醇、聚对二甲苯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、透明氟树脂、聚苯乙烯或聚乙烯基苯酚；/n其中，所述电解质绝缘材料为固态电解质绝缘材料，包括离子盐-聚合物复合电解质；/n构成所述半导体中间层和半导体传输层的材料为具有场效应传输性能的有机半导体材料。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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