[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810971165.1 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109103211A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 高俊九;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种背照式图像传感器，包括有源层，所述有源层设置有：光电二极管；深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构设置于所述光电二极管之间，该深沟槽隔离结构被配置为从所述有源层的背面起始，向所述有源层的正面延伸；所述深沟槽隔离结构包括第一深沟槽隔离结构和第二深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的沟槽深度大于所述第二深沟槽隔离结构。本发明提供的背照式图像传感器能够减少或消除相邻光电二极管之间的电学信号串扰，同时规避沟槽深度的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟槽隔离结构 源层 背照式图像传感器 光电二极管 电学信号 串扰 背面 延伸 配置 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，包括有源层，所述有源层设置有：多个光电二极管；深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构设置于彼此相邻的所述光电二极管之间，该深沟槽隔离结构被配置为从所述有源层的背面起始，向所述有源层的正面延伸；其特征在于，所述深沟槽隔离结构包括第一深沟槽隔离结构和第二深沟槽隔离结构，所述第一深沟槽隔离结构的沟槽深度大于所述第二深沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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