[发明专利]超级结功率半导体装置和其形成方法

摘要

一种用于制造超级结功率MOSFET的方法包括：在衬底中形成第一沟槽；在所述衬底上以及在所述沟槽底部中且沿着所述沟槽侧壁形成第一氧化物层；在所述沟槽中沉积导电材料；遮蔽所述导电材料的第一部分；形成所述导电材料的凹入部分；在所述导电材料的所述凹入部分上且接触所述凹入部分来形成氧化物部分；通过遮蔽来移除所述氧化物部分的部分；移除所述侧壁上的所述第一氧化物层，而所述氧化物部分的另一部分保持与所述导电材料的所述凹入部分接触；沿着所述沟槽的暴露侧壁形成栅极电介质；以及在所述沟槽中的所述氧化物部分的其它部分上沉积另外的导电材料。

主权项

1.一种用于制造超级结功率MOSFET的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中形成第一沟槽；在所述半导体衬底上且在所述第一沟槽中形成第一氧化物层，其中所述第一氧化物层是沿着所述第一沟槽的底部和侧壁；在所述第一沟槽中沉积导电材料以形成第一防护电极；遮蔽所述第一沟槽中的所述导电材料的第一部分；通过在遮蔽所述导电材料的所述第一部分时移除所述导电材料的第二部分的部分来形成所述导电材料的凹入部分；在所述导电材料的所述凹入部分上且接触所述凹入部分来形成氧化物部分；移除所述第一沟槽中的所述氧化物部分的部分；移除所述沟槽的所述侧壁上的所述第一氧化物层，而所述氧化物部分的另一部分保持与所述导电材料的所述凹入部分接触；沿着所述第一沟槽的暴露侧壁形成栅极电介质；以及在所述第一沟槽中的所述氧化物部分的其它部分上沉积另外的导电材料。