[发明专利]处理被处理体的方法

摘要

本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。

主权项

1.一种处理被处理体的方法，在所述被处理体的表面设置有多个沟槽，所述方法的特征在于：包括基本步骤，该基本步骤包括：测定多个所述沟槽的沟槽宽度的第一步骤；当在所述第一步骤中所测定的所述沟槽宽度在所述表面上的偏差不在预先所设定的基准范围内时，调节该沟槽宽度的第二步骤；和当所述偏差在所述基准范围内且在所述第一步骤中所测定的所述沟槽宽度比预先设定的基准宽度窄时，进行扩展该沟槽宽度的蚀刻处理的第三步骤，在所述方法中，所述表面被划分为多个区域，所述第二步骤包括：按多个所述区域的每一个区域调节所述表面的温度的第四步骤；和进行在所述沟槽的内表面形成膜的膜形成处理的第五步骤，在所述第四步骤中，利用预先已取得的对应数据调节所述表面的温度，以使得所述偏差能够通过所述膜的形成而降低，其中，所述对应数据表示所述膜形成处理中的所述表面的温度与堆积在所述沟槽的内表面的膜的膜厚的对应关系，所述膜形成处理反复执行第一流程，所述第一流程包括：向收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内供给第一气体的第六步骤；在执行所述第六步骤后，对所述处理容器内的空间进行吹扫的第七步骤；在执行所述第七步骤后，在所述处理容器内生成第二气体的等离子体的第八步骤；和在执行所述第八步骤后，对所述处理容器内的空间进行吹扫的第九步骤，所述蚀刻处理反复执行第二流程，并通过按每一原子层除去所述膜来各向同性地蚀刻所述膜，其中，所述第二流程包括：第十步骤，在所述处理容器内生成第三气体的等离子体，并且在所述沟槽的内表面的原子层各向同性地形成包含该第三气体的等离子体中所包含的离子的混合层；在执行所述第十步骤后，对所述处理容器内的空间进行吹扫的第十一步骤；第十二步骤，在执行所述第十一步骤后，在所述处理容器内生成第四气体的等离子体，并且利用所述第四气体的等离子体中所包含的自由基除去所述混合层；和在执行所述第十二步骤后，对所述处理容器内的空间进行吹扫的第十三步骤，所述膜含有硅，所述第一气体含有氨基硅烷类气体，所述第二气体包括含有氧原子的气体，所述第三气体含有氮，所述第四气体含有氟，在所述第十二步骤中生成的所述第四气体的等离子体含有所述自由基，所述自由基用于除去含有硅的氮化物的所述混合层，在所述第六步骤中不生成所述第一气体的等离子体。