[发明专利]物理不可克隆函数单元有效
| 申请号： | 201810971534.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109493898B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈信铭;吴孟益;黄柏豪 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种物理不可克隆函数单元包括反熔丝晶体管及控制电路。反熔丝晶体管具有第一端，第二端，及栅极端。控制电路耦接于反熔丝晶体管。在注册操作中，控制电路施加注册电压至反熔丝晶体管的栅极端，并施加参考电压至反熔丝晶体管的第一端及第二端。注册电压高于参考电压，且注册电压高到足以在反熔丝晶体管的栅极端至第一端或在反熔丝晶体管的栅极端至第二端之间产生出穿凿路径。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 不可 克隆 函数 单元 | ||
【主权项】：
1.一种物理不可克隆函数单元，其特征在于，包括：反熔丝晶体管，具有第一端，第二端，及栅极端；及控制电路，耦接于所述反熔丝晶体管，并用以在注册操作中，施加注册电压至所述反熔丝晶体管的所述栅极端及施加参考电压至所述反熔丝晶体管的所述第一端及所述第二端；其中所述注册电压高于所述参考电压，且所述注册电压高到足以在所述反熔丝晶体管的所述栅极端至所述第一端或在所述反熔丝晶体管的所述栅极端至所述第二端之间产生出穿凿路径。
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