[发明专利]激光晶化度测量设备和方法在审
| 申请号： | 201810972319.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109425576A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朴龙俊;韩承镐;金暻隋;徐瑨;吴世允;林东燮;梁成勋;崔峻荣 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;科美仪器公司 |
| 主分类号： | G01N21/21 | 分类号： | G01N21/21;G01N21/25 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种激光晶化度测量设备和一种用于测量激光晶化度的方法。该激光晶化度测量设备包括：光谱仪，被构造为测量通过激光晶化装置晶化的实际多晶硅层的光谱的实际数据；以及模拟装置，连接到光谱仪并且被构造为根据形成在虚拟多晶硅层中的虚拟突起的形状来确定虚拟多晶硅层的光谱的模拟数据，其中，通过利用通过选择与实际数据近似的模拟数据确定的最终数据来确定形成在实际多晶硅层中的实际突起的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 晶化度 测量设备 激光 虚拟多晶硅层 光谱仪 多晶硅层 模拟数据 实际数据 突起 光谱 测量激光 晶化装置 模拟装置 最终数据 晶化 近似 测量 虚拟 | ||
【主权项】：
1.一种激光晶化度测量设备，所述激光晶化度测量设备包括：光谱仪，被构造为测量通过激光晶化装置晶化的实际多晶硅层的光谱的实际数据；以及模拟装置，连接到所述光谱仪并且被构造为根据形成在虚拟多晶硅层中的虚拟突起的形状来确定所述虚拟多晶硅层的光谱的模拟数据，其中，通过利用通过选择与所述实际数据近似的模拟数据确定的最终数据来确定形成在所述实际多晶硅层中的实际突起的形状。
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