[发明专利]在鳍式场效晶体管中形成外延结构在审
| 申请号： | 201810972337.7 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN110212029A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 詹佳玲;陈子涵;陈亮吟;郭建亿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了在鳍式场效晶体管中形成外延结构。在一实施例中，一种在FinFET装置中形成源极/漏极构件的方法包含：提供形成于衬底上方的鳍片和形成于鳍片上方的栅极结构；在所述鳍片中相邻于所述栅极结构形成凹槽；在所述凹槽中形成第一外延层；在所述第一外延层上方形成第二外延层；和在所述第二外延层上方形成第三外延层。所述第二外延层可掺杂有第一元素，而所述第一外延层和所述第三外延层的一者或两者包含不同于所述第一元素的第二元素。所述第一外延层和所述第三外延层的一者或两者可通过等离子体沉积程序形成。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 鳍式场效晶体管 外延结构 栅极结构 鳍片 等离子体沉积 源极/漏极 程序形成 衬底 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：鳍片，其在衬底上方；栅极结构，其在所述鳍片上方；和外延源极/漏极构件，其在所述鳍片上方且相邻于所述栅极结构，其中所述外延源极/漏极构件包含第一层、所述第一层上方的第二层和所述第二层上方的第三层，其中所述第二层掺杂有第一掺杂物，且其中所述第一层和所述第三层的至少一者掺杂有不同于所述第一掺杂物的第二掺杂物。
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