[发明专利]集成装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201810972352.1 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109860167A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | H·比斯瓦思;杨国男;王中兴;李孟祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露实施例涉及集成装置及其形成方法。一种用于形成集成装置的方法包含以下操作。提供第一电路。所述第一电路具有第一连接路径、多个第二连接路径及第三连接路径。所述多个第二连接路径电连接到所述第一连接路径的第一连接部分。所述第三连接路径电耦合到所述第一连接路径的第二连接部分。分析所述第一连接路径的电迁移EM数据以确定所述第一连接部分与所述第二连接部分之间的第三连接部分是否诱发EM现象。当所述第三连接部分诱发EM现象时，修改所述第一电路以产生第二电路。根据所述第二电路产生所述集成装置。 | ||
| 搜索关键词： | 连接路径 集成装置 电路 诱发 电路产生 电连接 电迁移 电耦合 分析 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成装置的方法，其包括：提供具有第一连接路径、多个第二连接路径及第三连接路径的第一电路，其中所述多个第二连接路径电连接到所述第一连接路径的第一连接部分，所述第三连接路径电耦合到所述第一连接路径的第二连接部分；分析所述第一连接路径的电迁移EM数据以确定所述第一连接部分与第二连接部分之间的第三连接部分是否诱发EM现象；当所述第三连接部分诱发EM现象时，修改所述第一电路以产生第二电路；及根据所述第二电路产生所述集成装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
