[发明专利]估计膜厚的化学机械平坦化装置及方法在审
| 申请号： | 201810973334.5 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109822448A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈彧敏;梁晋玮;陈升照;匡训沖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;B24B41/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及估计膜厚的化学机械平坦化装置及方法。本发明实施例涉及一种用于在CMP中估计膜厚的方法，所述方法包含以下操作。将其上形成有膜的衬底安置于抛光垫上方，其中在所述膜与所述抛光垫之间施配浆料。执行CMP操作以减小所述膜的厚度。在所述CMP操作期间通过电化学阻抗频谱EIS器件执行原位EIS测量以实时估计所述膜的所述厚度。当从第一等效电路模型的拟合参数获得的所述膜的所述估计厚度达到目标厚度时，结束所述CMP操作。 | ||
| 搜索关键词： | 膜厚 化学机械平坦化 抛光垫 电化学阻抗频谱 等效电路模型 操作期间 拟合参数 器件执行 实时估计 衬底 减小 配浆 测量 安置 | ||
【主权项】：
1.一种用于在化学机械平坦化CMP中估计膜厚的方法，其包括：将其上形成有膜的衬底安置于CMP装置的抛光垫上方，其中在所述膜与所述抛光垫之间施配浆料；执行CMP操作以减小所述膜的厚度；在所述CMP操作期间通过电化学阻抗频谱EIS器件执行原位EIS测量，其中所述原位EIS测量包括：按不同频率将交流电压施加到所述浆料及所述膜中的电路路径；收集所述电路路径响应于不同频率下的所述交流电压的阻抗数据；通过将第一等效电路模型拟合到所述阻抗数据而分析所述阻抗数据；基于所述分析所述阻抗数据的结果估计所述第一等效电路模型的拟合参数；及使用所述第一等效电路模型的所述拟合参数来获得所述膜的估计厚度；及当从所述第一等效电路模型的所述拟合参数获得的所述膜的所述估计厚度达到目标厚度时，结束所述CMP操作。
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