[发明专利]处理衬底或晶圆的装置在审
| 申请号： | 201810974509.4 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109786282A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 殷立钊;邱钰凌;杨裕隆;林鸿彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 真空装置包括处理室和连接至处理室的传送室。传送室包括一个或多个真空端口，传送室内部的气体通过该真空端口排出；以及通气端口，从该通气端口供应通气气体。一个或多个真空端口和通气端口布置为使得从至少一个通气端口至一个或多个真空端口的气流相对于传送室的中心线线对称。本发明的实施例还涉及用于处理衬底或晶圆的真空装置。 | ||
| 搜索关键词： | 通气端口 真空端口 传送室 衬底 晶圆 气体通过 通气气体 真空装置 装置真空 室内部 线对称 排出 传送 | ||
【主权项】：
1.一种真空装置，包括：处理室；传送室，连接至所述处理室，其中：所述传送室包括：一个或多个真空端口，所述传送室内部的气体通过所述真空端口排出；以及通气端口，从所述通气端口供应通气气体，以及所述一个或多个真空端口和所述通气端口布置为使得从所述通气端口的至少一个至所述一个或多个真空端口的气流相对于所述传送室的中心线线对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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