[发明专利]一种双相硅加硅化镁纳米复合材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810974645.3 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109055839A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 宋广生;张世宏 | 申请（专利权）人： | 浙江泰科新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C22C23/00 | 分类号： | C22C23/00;C22C1/10;C22C29/18 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 郭大美;闫飞 |
| 地址： | 312400 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双相硅加硅化镁纳米复合材料及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。该双相硅加硅化镁纳米复合材料具有33.3at％至54.1at％的Si含量并且包含具有纳米结构Si生成物的Mg2Si基体的微结构，微结构通过增加每个Mg2Si基体和Si生成物界面处的声子散射来增强热电性能，与常规的Mg2Si材料形态相比，至少能减小材料的导热率，实验证实本发明材料的新型微结构与具有相同合金组成的常规Mg2Si合金微观结构相比，导热率降低至少10％，优选至少15％；另外，Mg2Si的最大放电容量可达1370mAh/g，工作电压较低，仅为～0.5V，是一种具有良好发展潜力的锂离子电池负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米复合材料 硅化镁 微结构 双相 导热率 制备 锂离子电池负极材料 合金微观结构 纳米材料技术 材料形态 发明材料 放电容量 工作电压 合金组成 纳米结构 热电性能 声子散射 常规的 界面处 减小 优选 应用 | ||
【主权项】：
1.一种双相硅加硅化镁纳米复合材料，其特征在于，具有33.3at％至54.1at％的Si含量并且包含具有纳米结构Si生成物的Mg2Si基体的微结构。
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