[发明专利]一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法有效
| 申请号： | 201810977212.3 | 申请日： | 2018-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN109166787B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有较低蚀刻速率的氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，以具有环形分子结构的环硅烷作为前驱体，与含氮化合物反应沉积到衬底上，形成可流动的硅氮薄膜，经过氧化性气体氧化，得到氧化硅薄膜。本发明形成的氧化硅薄膜的Si‑H键密度显著降低，湿蚀刻速率也大大降低，经过高温退火或紫外固化之后，在有图案的硅晶片上，可实现从下至上的、无缝间隙填充；在空白硅晶片上，可形成高质量的氧化硅薄膜；均匀性好，覆盖性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅薄膜 可流动 化学气相沉积 硅晶片 蚀刻 含氮化合物 氧化性气体 反应沉积 分子结构 覆盖性能 高温退火 硅氮薄膜 间隙填充 均匀性好 紫外固化 环硅烷 前驱体 湿蚀刻 衬底 图案 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅薄膜的可流动化学气相沉积方法，其特征在于，以具有环形分子结构的环硅烷作为前驱体，与含氮化合物反应沉积到衬底上，形成可流动的硅氮薄膜，经过氧化性气体氧化，得到氧化硅薄膜；再通过固化处理，得到致密的氧化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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