[发明专利]一次电解制备5N高纯铟的方法有效
| 申请号： | 201810977839.9 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN108823604B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 彭巨擘;卢兴伟;张启旺;伍美珍;雷云;陈光云 | 申请（专利权）人： | 云南锡业集团（控股）有限责任公司研发中心 |
| 主分类号： | C25C1/22 | 分类号： | C25C1/22;C25C7/06 |
| 代理公司： | 昆明大百科专利事务所 53106 | 代理人： | 苏芸芸 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一次电解制备5N高纯铟的方法，其以3N~4N金属铟为原料，在电解液存在条件下，采用包裹有过滤装置的3N～4N金属铟作为阳极，通过一次电解精炼法制得5N高纯铟；本发明方法能防止阳极泥污染电解液，并能选择透过有用离子，达到有效除去与In电位相近的其他金属元素；本发明方法操作简单，可控性高、成本低，易于实现扩大生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 电解 制备 高纯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一次电解制备5N高纯铟的方法，其特征在于：以3N~4N金属铟为原料，在电解液存在条件下，采用包裹有过滤装置的3N～4N金属铟作为阳极，通过一次电解精炼法制得5N高纯铟。
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