[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810977998.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109428559B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 筒井孝幸;田中聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘慧群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种搭载了高次谐波的控制性提高的功率放大电路的半导体装置。为此，半导体装置具备：芯片，具有与由相互交叉的第一方向以及第二方向规定的平面平行的主面；功率放大器，将输入信号放大并从多个输出端子输出放大信号；和第一滤波器电路及第二滤波器电路，使放大信号的高次谐波衰减，第一滤波器电路包含连接在多个输出端子与接地之间的第一电容器，第二滤波器电路包含连接在多个输出端子与接地之间的第二电容器，在芯片的主面上，多个输出端子沿着第一方向排列配置，第一电容器以及第二电容器分别配置在多个输出端子的第一方向侧以及第一方向的相反侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：芯片，具有与由相互交叉的第一方向以及第二方向规定的平面平行的主面；功率放大器，将输入信号放大并从多个输出端子输出放大信号；和第一滤波器电路以及第二滤波器电路，使所述放大信号的高次谐波衰减，所述第一滤波器电路包含连接在所述多个输出端子与接地之间的第一电容器，所述第二滤波器电路包含连接在所述多个输出端子与接地之间的第二电容器，在所述芯片的主面上，所述多个输出端子沿着所述第一方向排列配置，所述第一电容器以及第二电容器分别配置在所述多个输出端子的所述第一方向侧以及所述第一方向的相反侧。
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