[发明专利]一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺有效

专利信息
申请号: 201810980506.1 申请日: 2018-08-27
公开(公告)号: CN108966516B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 叶国俊;马毅;袁为群;宋建远;何为;孙保玉 申请(专利权)人: 深圳崇达多层线路板有限公司
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;H05K3/46
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 冯筠
地址: 518000 广东省深圳市宝安区沙井街道新桥横岗下工*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺,包括以下步骤:在芯板的两表面铜层上贴膜,而后通过曝光、显影和蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路,然后退膜;在芯板的两表面上贴膜,而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光;在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板;而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形;而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路,然后退膜;去掉芯板上表面的支撑基板,在芯板的下表面上贴支撑基板,然后再依次去除芯板上的膜和支撑基板;芯板通过半固化片与外层铜箔压合,形成生产板。本发明方法借助支撑基板和膜的支撑力来防止介质层破损,且减少压合次数至一次,降低了成本和提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 基于 支撑 一次 压合埋容 工艺
【主权项】:
1.一种基于支撑基板的一次压合埋容工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、在芯板的两表面铜层上贴膜,而后通过曝光、显影在芯板的上表面上形成内层线路图形,且曝光时芯板下表面的膜整面被曝光;S2、而后通过蚀刻工序在芯板的上表面形成内层线路,然后退膜;S3、在芯板的两表面上贴膜,而后通过曝光工序在芯板的下表面完成内层线路曝光,且芯板上表面的膜不进行曝光;S4、在芯板上表面的膜外侧贴支撑基板,且支撑基板的尺寸与芯板的尺寸相同;而后通过显影工序在芯板的下表面上形成内层线路图形;S5、而后通过蚀刻工序在芯板的下表面形成内层线路,然后退膜;S6、去掉芯板上表面的支撑基板,在芯板的下表面上贴支撑基板,然后再依次去除芯板上表面上的膜和下表面上的支撑基板;S7、芯板通过半固化片与外层铜箔压合,形成生产板。
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