[发明专利]一种芯片双面切割工艺在审
申请号: | 201810981317.6 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN109081303A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 王小波;陈浩平;谢崇平 | 申请(专利权)人: | 无锡芯坤电子科技有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片双面切割工艺,包括如下步骤:S1、在MEMS芯片的背面粘贴蓝膜;S2、设定切割深度为MEMS芯片正面材质的厚度,采用切割机对MEMS芯片的正面进行半切,并将MEMS芯片的正面材质边缘切穿,便于反切时定位;S3、将MEMS芯片背面的蓝膜去除,再在MEMS芯片的正面贴UV膜进行保护;S4、采用切割机对MEMS芯片的背面进行切割;本发明设定切割深度为MEMS芯片正面材质的厚度,采用切割机对MEMS芯片的正面进行半切,并将MEMS芯片的正面材质边缘切穿,便于反切时定位,解决两种材质键合MEMS芯片的切割质量问题;MEMS芯片双面切割工艺,有效防止两种材质键合MEMS芯片切割时断刀或产品崩裂报废,减少刀片损耗,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 切割 切割机 双面切割 反切 半切 键合 蓝膜 背面 芯片 崩裂 刀片损耗 质量问题 断刀 去除 粘贴 报废 | ||
【主权项】:
1.一种芯片双面切割工艺,其特征在于:包括如下步骤:S1、在MEMS芯片的背面粘贴蓝膜;S2、设定切割深度为MEMS芯片正面材质的厚度,采用切割机对MEMS芯片的正面进行半切,并将MEMS芯片的正面材质边缘切穿,便于反切时定位;S3、将MEMS芯片背面的蓝膜去除,再在MEMS芯片的正面贴UV膜进行保护;S4、采用切割机对MEMS芯片的背面进行切割,通过步骤S2中MEMS芯片的正面材质边缘切穿的边进行定位;S5、MEMS芯片背面切割后解UV,背面贴膜,去除正面UV膜。
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