[发明专利]富电子芳烃或芳杂烃的三氟甲硒基化方法有效
申请号: | 201810982010.8 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN109053536B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 张成潘;韩周洲;董涛;施进 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C07D209/30 | 分类号: | C07D209/30;C07D495/04;C07D249/10;C07D233/90;C07D207/44;C07D317/62;C07C391/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 刘洋 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明公开了富电子芳烃或芳杂烃的三氟甲硒基化方法,包括以下步骤:在溶剂中加入三氟甲硒基铵盐或金属盐、氧化剂,于‑80℃至100℃下加入富电子芳烃或芳杂烃,搅拌反应0.1~48h,加水淬灭,柱层析得到三氟甲硒基化产品。本发明利用三氟甲硒基铵盐或金属盐为三氟甲硒基源,提出富电子芳烃或芳杂烃的氧化三氟甲硒基化新方法,在非常温和的条件下实现了富电子芳烃或芳杂烃的氧化三氟甲硒基化,由C‑H键直接构建C‑SeCF |
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搜索关键词: | 电子 芳烃 芳杂烃 三氟甲硒基化 方法 | ||
【主权项】:
1.富电子芳烃或芳杂烃的三氟甲硒基化方法,其特征在于包括以下步骤:在溶剂中加入三氟甲硒基铵盐或金属盐、氧化剂,于‑80℃至100℃下加入富电子芳烃或芳杂烃,搅拌反应0.1~48h,加水淬灭,柱层析得到三氟甲硒基化产品。
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