[发明专利]MEMS薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 201810983981.4 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN108923765B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 杜利东;赵湛;朱雨丝;刘振宇;方震;刘季杭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS薄膜体声波谐振器，包括对称设置的两个谐振单元，每一个谐振单元包括：谐振结构，为环形或块状；支撑结构，用于支撑谐振结构；和耦合结构，与所述谐振结构连接，MEMS薄膜体声波谐振器工作时，在耦合结构上施加耦合静电电压，两个谐振单元的两个耦合结构之间形成弱耦合。本发明在常规MEMS薄膜体声波谐振器的基础上，通过设计两个谐振单元的弱耦合结构，可实现高灵敏检测和抑制共模干扰。 | ||
| 搜索关键词： | mems 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述MEMS薄膜体声波谐振器包括对称设置的两个谐振单元，每一个所述谐振单元包括：谐振结构，所述谐振结构为环形或块状；支撑结构，用于支撑所述谐振结构；和耦合结构，与所述谐振结构连接，所述MEMS薄膜体声波谐振器工作时，在所述耦合结构上施加耦合静电电压，所述两个谐振单元的两个耦合结构之间形成弱耦合。
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