[发明专利]超级结器件的PN匹配状态的分析方法有效
申请号: | 201810984595.7 | 申请日: | 2018-08-28 |
公开(公告)号: | CN109100623B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李昊 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种超级结器件的PN匹配状态的分析方法,分析步骤包括:步骤一、在栅极上未加栅极电压的情形下测量击穿电压;步骤二、在栅极上加栅极电压并形成沟道电流,通过沟道电流注入调节超级结结构的匹配状态;之后,测量对应的击穿电压;步骤三、调节栅极电压从而调节超级结结构的匹配状态并测量对应的击穿电压,形成通过栅极电压调节的超级结结构的匹配状态和超级结器件的击穿电压之间的测量曲线;步骤四、比对测量曲线和超级结结构所具有的PN匹配状态和击穿电压之间的二次曲线确定超级结结构的PN匹配状态。本发明能对超级结器件中的PN匹配状态进行分析判断。 | ||
搜索关键词: | 超级 器件 pn 匹配 状态 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超级结器件的PN匹配状态的分析方法,其特征在于,超级结器件包括栅极、漏极和源极,在所述超级结器件的漂移区中具有由交替排列的P型柱和N型柱组成的超级结结构,所述具有第一导电类型的沟道,所述超级结结构的PN匹配状态和所述超级结器件的击穿电压之间所具有的二次曲线关系,采用如下步骤对所述超级结结构的P型柱和N型柱的PN匹配状态进行分析:步骤一、在所述栅极上未加栅极电压的情形下测量所述超级结器件的击穿电压;步骤二、在所述栅极上加栅极电压,所述栅极电压大于等于所述超级结器件的阈值电压,使得所述超级结器件导通并形成沟道电流,所述沟道电流将第一导电类型的载流子注入到所述超级结结构中,所述沟道电流注入的第一导电类型电荷降低所述超级结结构中的第一导电类型柱中的第一导电类型有效电荷,从而调节所述超级结结构的匹配状态;之后,测量对应的所述栅极电压下的所述超级结器件的击穿电压;步骤三、调节所述栅极电压从而调节所述沟道电流并进而调节所述超级结结构的匹配状态,测量调节后的所述栅极电压对应的所述超级结器件的击穿电压,形成通过所述栅极电压调节的所述超级结结构的匹配状态和所述超级结器件的击穿电压之间的测量曲线;步骤四、比对所述二次曲线和所述测量曲线确定所述超级结结构的P型柱和N型柱的PN匹配状态。
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