[发明专利]一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201810984729.5 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109346529A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;郝跃;马晓华;白丹丹;吉鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底层，位于所述衬底层上的缓冲层，位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的复合势垒层，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层和位于第一势垒层和第二势垒层之间的第三势垒层；位于所述第二势垒层上的阴极；位于所述第一势垒层上的复合阳极；位于所述第一势垒层上的本征GaN帽层。本发明实施例具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，缓解了器件击穿电压与开启电压之间的矛盾，改善了器件的击穿特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 复合势垒 肖特基势垒二极管 器件击穿电压 开启电压 衬底层 沟道层 缓冲层 阴极 复合阳极 击穿特性 本征 减小 帽层 缓解 矛盾 | ||
【主权项】：
1.一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底层(101)，位于所述衬底层(101)上的缓冲层(102)，位于所述缓冲层(102)上的沟道层(103)，其特征在于，还包括：位于所述沟道层(103)上的复合势垒层，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层(1041)、第二势垒层(1042)和第三势垒层(105)，所述第三势垒层(105)位于所述第一势垒层(1041)和所述第二势垒层(1042)之间；位于所述第二势垒层(1042)上的阴极(107)；位于所述第一势垒层(1041)上的复合阳极；位于所述第三势垒层(105)上的本征GaN帽层(106)。
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