[发明专利]显示面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810987086.X 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN108831895B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 王超;刘广辉;颜源 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 杨艇要
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种显示面板及其制造方法,所述显示面板的制造方法包含步骤:提供基板;形成栅极在所述基板上;形成栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上;形成多晶硅层在所述栅极绝缘层上;对所述多晶硅层进行第一灰阶掩膜工艺,以形成所述多晶硅层的源极区、漏极区以及位在所述源极区及所述漏极区之间的有源区;形成层间介电层在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上;形成第一电极层在所述层间介电层上;以及对所述第一电极层及所述层间介电层进行第二灰阶掩膜工艺,其中包含:图案化所述第一电极层以形成第一电极图案层;及在所述层间介电层内形成源极穿孔与漏极穿孔,其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区。
搜索关键词: 显示 面板 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于:所述显示面板的制造方法包含步骤:提供一基板;形成一栅极在所述基板上;形成一栅极绝缘层在所述栅极及所述基板上;形成一多晶硅层在所述栅极绝缘层上;对所述多晶硅层进行一第一灰阶掩膜工艺,以形成所述多晶硅层的一源极区、一漏极区以及位在所述源极区及所述漏极区之间的一有源区;形成一层间介电层在所述栅极绝缘层及所述多晶硅层上;形成一第一电极层在所述层间介电层上;以及对所述第一电极层及所述层间介电层进行一第二灰阶掩膜工艺,其中包含:图案化所述第一电极层以形成一第一电极图案层;及在所述层间介电层内形成一源极穿孔与一漏极穿孔,其中所述源极穿孔暴露所述源极区及所述漏极穿孔暴露所述漏极区。
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