[发明专利]层形成方法

摘要

本发明提供一种层形成方法，包括在衬底上沉积晶种层；以及在所述晶种层上沉积主体层。沉积所述晶种层包括向所述衬底供应包括金属和卤素原子的第一前体；以及向所述衬底供应第一反应物。沉积所述主体层包括向所述晶种层供应包括金属和卤素原子的第二前体；以及向所述晶种层供应第二反应物，其中所述第一和第二前体不同。通过使晶种层和主体层具有不同第一和第二前体，可以优化晶种层和主体层的特性以使得可以提高总层的质量。衬底上的层可以用于制造半导体装置。

主权项

1.一种形成层的方法，包括：提供具有在制造特征部件期间产生的间隙的衬底；在所述衬底上沉积晶种层；以及在所述晶种层上沉积主体层，其中沉积所述晶种层包括：向所述衬底供应包括金属和卤素原子的第一前体；和向所述衬底供应第一反应物，其中一部分所述第一前体和所述第一反应物反应以形成所述晶种层的至少一部分；其中沉积所述主体层包括：向所述晶种层供应包括金属和卤素原子的第二前体；和向所述晶种层供应第二反应物，其中一部分所述第二前体和所述第二反应物反应以在所述晶种层上形成所述主体层的至少一部分，且其中所述第一和第二前体不同。