[发明专利]温度传感器制备方法及温度传感器在审
| 申请号： | 201810989109.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110862063A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐;张新伟;周国平;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种温度传感器制备方法，包括：在硅片形成若干沟槽；热退火使若干沟槽变形后相互连通形成一空腔，且硅片在空腔上方连接起来，将空腔封闭；氧化空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；在氧化硅薄膜上形成测温单元。通过该制备方法得到的温度传感器，其氧化硅薄膜与硅之间形成有空腔，可通过空腔隔离，无需通过深刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉，因此节省了制备时间，节约了制备成本。本发明还涉及一种温度传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 温度传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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