[发明专利]用于半导体薄膜晶体管的保护层及其实现和应用方法有效

专利信息
申请号: 201810989320.2 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN110867490B 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 解海艇;董承远 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/473;H01L21/34
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王毓理;王锡麟
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于半导体薄膜晶体管的保护层及其实现和应用方法,即铝锰锌氧化物薄膜(AMZO),由氧化铝Al2O3、氧化锰MnO和氧化锌ZnO组成,其掺杂量范围分别为3%~90%wt%。本发明利用磁控溅射在薄膜晶体管之上沉积得到上述单层AMZO薄膜或双层SiO2/AMZO薄膜作为器件保护层。单层AMZO保护层能够遮蔽短波长的紫外光且透过较长波长的可见光,从而大幅改善掺氮非晶氧化物半导体薄膜晶体管的光照稳定性。而双层SiO2/AMZO保护层解决了单层AMZO保护层所造成的器件操作特性的劣化,同时也可以获得高稳定性的掺氮非晶氧化物半导体薄膜晶体管。
搜索关键词: 用于 半导体 薄膜晶体管 保护层 及其 实现 应用 方法
【主权项】:
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