[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法通过在蓝宝石衬底的周期性图形和凹陷部上生长低温缓冲层；升高所述反应室温度，在凹陷部上的低温缓冲层上生长三维生长层；保持反应室温度不变，向反应室通入一段时间的氢气，去除掉周期性图形上的低温缓冲层和凹陷部上的部分三维生长层。然后升高反应室温度，高温未掺杂的GaN层在所述周期性图形上合并，并与所述周期性图形间隔设置，形成空洞。空洞中填充有空气，由于空气的折射率比蓝宝石衬底的折射率小，空气与氮化镓外延层的折射率的差值更大，因此来自多量子阱层的光更容易在空洞处产生全反射，并从发光二极管的正面出射，从而提高发光二极管的正面出光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的表面设有周期性图形，所述周期性图形之间形成凹陷部；向反应室中通入载气、氮气和Mo源，在所述周期性图形和所述凹陷部上生长低温缓冲层，所述低温缓冲层为GaN层；升高所述反应室温度，向所述反应室通入载气、氮气和Mo源，在所述凹陷部上的低温缓冲层上生长三维生长层，所述三维生长层为GaN层且所述三维生长层的厚度大于所述低温缓冲层；保持所述反应室温度不变，向所述反应室通入一段时间的氢气，去除所述周期性图形上的低温缓冲层和所述凹陷部上的部分三维生长层；升高所述反应室温度，向所述反应室通入载气、氮气和Mo源，在所述三维生长层上生长高温未掺杂的GaN层，所述高温未掺杂的GaN层在所述周期性图形上合并，并与所述周期性图形间隔设置，形成空洞；向所述反应室通入载气、氮气、Mo源和N型掺杂剂，在所述高温未掺杂的GaN层上生长N型层；向所述反应室通入载气、氮气和Mo源，在所述N型层上生长多量子阱层；向所述反应室中通入载气、氮气、Mo源和P型掺杂剂，在所述多量子阱层上生长P型层。