[发明专利]一种3D NAND存储器件及其金属栅极制备方法

摘要

本申请公开了一种3D NAND存储器件的金属栅极的制备方法，包括提供衬底，衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠结构以及贯穿层叠结构的栅线缝隙，通过栅线缝隙去除牺牲层的部分，使其向远离栅线缝隙方向缩进，使得绝缘层的对应部分露出，然后处理绝缘层的露出部分，使得绝缘层在靠近栅线缝隙的部分的厚度小于远离栅线缝隙的部分，然后去除剩余的牺牲层形成镂空区域，向所述镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。通过该方法能够控制开口形貌，使得开口区域较大，进而使得金属介质得以充分填充，降低金属栅极产生缝隙的概率，避免残留在缝隙中的含氟气体侵蚀器件，提高了器件性能。本申请还公开了一种3D NAND存储器件。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的金属栅极的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠结构以及贯穿所述层叠结构的栅线缝隙；通过所述栅线缝隙去除所述牺牲层的部分，使所述牺牲层相对所述绝缘层在沿所述栅线缝隙侧壁到所述栅线缝隙外的方向上缩进一段距离，并使所述绝缘层的对应部分露出；通过所述栅线缝隙处理所述绝缘层的露出部分，使得露出的绝缘层在靠近所述栅线缝隙的部分具有第一厚度，在远离所述栅线缝隙的部分具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度；通过所述栅线缝隙去除剩余的牺牲层，在剩余的绝缘层间形成镂空区域；向所述镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。