[发明专利]一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810991168.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109166924B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张金平;王康;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向MOS型器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在传统横向MOS型器件的漂移区中引入深介质沟槽、半绝缘多晶硅柱和缓冲层。深介质沟槽的引入使得器件形成U型导电通道，在同样器件长度下情况下有效增加了漂移区的长度；半绝缘多晶硅柱与漂移区沿深介质沟槽横向延伸方向交替相接形成三维阻性场板结构从而在器件阻断时在漂移区引入多维耗尽作用来提高漂移区的掺杂浓度，并使深沟槽两侧的漂移区宽度不受掺杂剂量的限制，改善了漂移区的电场分布，提高器件击穿电压的同时也降低了器件的比导通电阻/导通压降。缓冲层的引入能够提高三维介质超结结构的电荷平衡特性，从而进一步提高器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 mos 功率 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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