[发明专利]改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法在审
| 申请号： | 201810991747.6 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109273353A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 龚华;李宇杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，涉及半导体集成电路生产工艺，所述改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和，以在改善光刻胶显影残留缺陷的基础上，不影响晶圆的关键尺寸(CD)。 | ||
| 搜索关键词： | 显影 光刻显影 残留 晶圆 刻蚀工艺 半导体集成电路 光刻胶残留 光刻胶 减小量 光刻 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.一种改善晶圆光刻胶显影后残留缺陷的方法，其特征在于，包括：首先进行光刻显影工艺；然后进行轻微刻蚀工艺，以改善光刻显影工艺后形成的光刻胶残留缺陷，且调整以使所述光刻显影工艺的光刻关键尺寸为晶圆目标关键尺寸与所述轻微刻蚀工艺引起的晶圆关键尺寸的减小量之和。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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