[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在N型GaN层与有源层之间设置超晶格结构，由于该超晶格结构中的Al_xGa_1‑xN层与Al_yGa_1‑yN层的势垒较高，电子在由N型GaN层进入有源层时，会受到Al_xGa_1‑xN层与Al_yGa_1‑yN层的阻挡，进而使得电子在进入有源层时能够横向扩展，电子进入有源层的面积增大，而Al_xGa_1‑xN层的势垒相较Al_yGa_1‑yN层的势垒低，使得电子被Al_xGa_1‑xN层与Al_yGa_1‑yN层分流阻挡，电子不会拥堵在Al_xGa_1‑xN层处或Al_yGa_1‑yN层处，电子能够更为均匀地进入有源层。这种超晶格结构能够实现对发光二极管中的电流进行良好且均匀地扩展，进而提高发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、超晶格结构、有源层及P型GaN层，所述超晶格结构包括交替层叠的InGaN层、AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层，其中，0＜x＜y≤1。