[发明专利]基于高性能电极的硅纳米线阵列基气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810991929.3 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110873733A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;赵黎明;白忆楠;王霄飞 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开基于高性能电极的硅纳米线阵列基气体传感器及其制备方法，通过刻蚀法在硅片表面制备垂直于硅片表面的硅纳米线阵列，在硅纳米线阵列顶端设置旋涂层，并在旋涂层上设置欧姆接触的电极，旋涂层为氧化亚铜层。在有序硅纳米线阵列顶端形成Cu |
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| 搜索关键词： | 基于 性能 电极 纳米 阵列 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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