[发明专利]半导体存储设备及其制造方法及包括存储设备的电子设备

摘要

公开了一种半导体存储设备及其制造方法及包括该存储设备的电子设备。根据实施例，半导体存储设备可以包括：衬底；在衬底上按行和列排列的存储单元的阵列，各存储单元包括具有上、下源/漏区和沟道区的竖直柱状有源区以及绕沟道区外周形成的栅堆叠；在衬底上形成的分别位于相应存储单元列下方且与相应列中各存储单元下端的源/漏区电连接的多条位线；以及在衬底上形成的分别沿行的方向延伸且与相应存储单元行中各存储单元的栅堆叠电连接的多条字线，各条字线分别包括沿相应存储单元行中的存储单元的外周延伸的第一部分以及在各第一部分之间延伸的第二部分，其中，字线的第一部分与相应存储单元的至少上端源/漏区的至少部分侧壁实质上共形地延伸。

主权项

1.一种半导体存储设备，包括：衬底；设置在衬底上的存储单元阵列，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列排列，各存储单元包括竖直延伸的柱状有源区，柱状有源区包括分别位于上下两端的源/漏区以及位于源/漏区之间的沟道区，各存储单元还包括绕沟道区外周形成的栅堆叠；在衬底上形成的多条位线，各条位线分别位于相应存储单元列的下方，且与相应列中各存储单元下端的源/漏区电连接；以及在衬底上形成的多条字线，各条字线分别沿行的方向延伸且与相应存储单元行中各存储单元的栅堆叠中的栅导体电连接，其中，各条字线分别包括沿相应存储单元行中的存储单元的外周延伸的第一部分以及在各第一部分之间延伸的第二部分，其中，字线的第一部分与相应存储单元的至少上端源/漏区的至少部分侧壁实质上共形地延伸。