[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201810993514.X 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109427778A 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 金锡勋;金东明;申东石;李承勋;李峭蒑;李炫姃;张星旭;赵南奎;崔珉姬 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L21/8234
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括:在基板上的第一鳍型图案;在基板上的第二鳍型图案,平行于第一鳍型图案;以及在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的外延图案。外延图案可以包括在第一鳍型图案和第二鳍型图案上的共用半导体图案。共用半导体图案可以包括与第一鳍型图案相邻的第一侧壁和与第二鳍型图案相邻的第二侧壁。第一侧壁可以包括第一下晶面、在第一下晶面上的第一上晶面、以及连接第一下晶面和第一上晶面的第一连接曲面。第二侧壁可以包括第二下晶面、在第二下晶面上的第二上晶面、以及连接第二下晶面和第二上晶面的第二连接曲面。
搜索关键词: 鳍型 图案 晶面 半导体器件 半导体图案 第二侧壁 第一侧壁 连接曲面 基板 平行
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一鳍型图案,在基板上;第二鳍型图案,在所述基板上,所述第二鳍型图案平行于所述第一鳍型图案;以及外延图案,在所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案上,其中所述外延图案包括在所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案上的共用半导体图案,所述共用半导体图案包括第一侧壁,与所述第一鳍型图案相邻,和第二侧壁,与所述第二鳍型图案相邻,其中所述共用半导体图案的所述第一侧壁包括第一下晶面、在所述第一下晶面上的第一上晶面、以及连接所述第一下晶面和所述第一上晶面的第一连接曲面,并且所述共用半导体图案的所述第二侧壁包括第二下晶面、在所述第二下晶面上的第二上晶面、以及连接所述第二下晶面和所述第二上晶面的第二连接曲面。
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