[发明专利]自旋流磁化反转元件及自旋轨道转矩型磁阻效应元件有效

专利信息
申请号: 201810993796.3 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109427964B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 大田实;佐佐木智生;高桥宏和 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/06;H01L43/14;H01L27/22
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;尹明花
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的在于提供一种有效地使纯自旋流发生并且使反转电流密度降低为可能的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器以及高频磁元件。本发明所涉及的自旋流磁化反转元件具备在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线、在与第一方向相交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层,所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe当中至少1种稀有气体元素。
搜索关键词: 自旋 磁化 反转 元件 轨道 转矩 磁阻 效应
【主权项】:
1.一种自旋流磁化反转元件,其特征在于:具备:在第一方向上延伸的自旋轨道转矩配线,和在与所述第一方向交叉的第二方向上层叠的第一铁磁性层,所述自旋轨道转矩配线包含Ar、Kr、Xe中的至少1种稀有气体元素。
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