[发明专利]制作光掩模的方法在审
| 申请号： | 201810994414.9 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109814331A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李信昌;林秉勋;何彦政;林志诚;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制作光掩模的方法包括以射线选择性曝光空白光掩模的部分，改变空白光掩模曝光至射线的部分的光学性质，因此形成空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的图案。图案对应多个半导体装置结构的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 空白光掩模 光掩模 图案 曝光 射线 半导体装置结构 选择性曝光 光学性质 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作光掩模的方法，包括：以一射线选择性曝光一空白光掩模的部分，改变该空白光掩模曝光至该射线的部分的光学性质，因此形成该空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的一图案，其中该图案对应多个半导体装置结构的图案。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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