[发明专利]一种恶草酮分子印迹传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种恶草酮分子印迹传感器的制备方法，特征在于，在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，N，N‑二甲基甲酰胺：22~26%，6mol/L的盐酸：38~43%，邻氨基苯酚：8~12%，4‑氨基吡啶：6~10%，恶草酮：2~5%，N,N‑亚甲基双丙烯酰胺：1.0~2.0%，滴加质量百分浓度为10%过硫酸铵：10~15%，搅拌溶解，40±2℃搅拌反应，将得到的产物用乙醇和盐酸混合溶液浸泡、洗涤，除去模板分子，干燥，即得恶草酮分子印迹聚合物；将聚合物滴涂在修饰电极上，制得扑草净分子印迹传感器。该传感器具有高的灵敏度和选择性。具有灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。

主权项

1.一种恶草酮分子印迹传感器的制备方法，特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1）纳米银/氧化石墨烯修饰液制备：在反应器中，按如下组成质量比加入，质量百分浓度为5%的氨水溶液：86~92%，硝酸银：1.0~3.0%，氧化石墨烯：2~6%，室温下超声30min，分散均匀，再加入蔗糖：3~8%，各组分含量之和为百分之百，室温，搅拌反应20min，得到纳米银/氧化石墨烯修饰液；（2）纳米银/氧化石墨烯修饰电极制备：将玻碳电极依次用0.3μm、0.01μm抛光粉进行表面抛光，然后分别用二次蒸馏水超声清洗，乙醇洗涤，吹干，将15~18μL纳米银/氧化石墨烯修饰液滴涂在玻碳电极表面，取出置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得纳米银/氧化石墨烯修饰电极；（3）恶草酮分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，N，N‑二甲基甲酰胺：22~26%，6mol/L的盐酸：38~43%，邻氨基苯酚：8~12%，4‑氨基吡啶：6~10%，恶草酮：2~5%，N,N‑亚甲基双丙烯酰胺：1.0~2.0%，滴加质量百分浓度为10%过硫酸铵：10~15%，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气除氧15min，无氧氛围，40±2℃搅拌反应6~8h，固液分离，将得到的产物用乙醇：盐酸体积比为8:1混合溶液浸泡8h，多次洗涤，除去模板分子，干燥，即得恶草酮分子印迹聚合物；（4）恶草酮分子印迹传感器的制备：取适量的恶草酮分子印迹聚合物分散于1%的壳聚糖乙酸溶液中，制得20g /L的恶草酮分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液15~18μL滴加到步骤（2）制备的纳米银/氧化石墨烯修饰电极，置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得恶草酮分子印迹传感器。