[发明专利]存储器芯片内建自测试方法和电路装置在审
| 申请号： | 201810995279.X | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875080A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 杨正杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明一种存储器芯片内建自测试方法和电路装置，所述方法包括：将原始测试向量输入至待测电路，以生成测试数据信号；将原始测试向量输入至寄存器中，使得原始测试向量与测试数据信号同步；对延迟后的原始测试向量和测试数据信号进行逻辑异或运算，以生成用于表示待测电路是否有效的测试结果指示信号；将延迟后的原始测试向量的相位反转180度生成反相测试向量，并将反相测试向量和测试数据信号进行逻辑与非运算，输出逻辑状态指示值，用于表示待测电路失效时，测试数据信号的逻辑状态；根据测试结果指示信号，择一输出用于表示待测电路的有效测试结果和逻辑状态指示值中的一种。能够判断出待测电路是否有效，而且进一步得到待测电路的失效形态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 芯片 测试 方法 电路 装置 | ||
【主权项】：
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