[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810997623.9 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875382A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 吴星星;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 杨志廷 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。栅极结构的底部位于第一半导体层内，通过与第一半导体层内的二维电子气层的相对位置关系，使栅极结构能够更好的耗尽第一半导体层内的二维电子气，加强栅极结构对二维电子气的控制能力，提高器件的工作稳定性。在栅槽内再次生长的栅极半导体层可降低栅槽位置的第一半导体层与栅极半导体层之间的界面态密度。栅极半导体层上形成的其他结构与栅极半导体层之间的界面态密度较低，可降低阈值电压漂移现象，降低栅极漏电，提升器件动态特性、击穿电压以及功率性能，并降低电流崩塌效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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