[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810997638.5 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875379B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;钱洪途;吴星星 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 曾章沐 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底、形成在所述衬底上的外延多层结构、以及形成在所述外延多层结构上的栅极结构，所述栅极结构嵌置于所述外延多层结构内，所述栅极结构依次包括栅极沟道层、栅极调制层和栅极金属层，所述栅极调制层的材料含铝组分，且所述铝组分含量是变量。本发明的栅极调制层可以有效避免栅极沟道层与周围沟道层之间的高度差而导致的导通电阻升高问题，实现了对半导体器件的阈值电压的精确控制，提高了阈值电压均匀性和电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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