[发明专利]一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810998569.X | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109166917B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张金平;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种平面型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明在器件靠近发射区外侧的基区上表面引入了禁带宽度相对较小的半导体层或肖特基接触金属，通过异质结或肖特基接触作为少数载流子势垒来增强电导调制效应，减小了器件导通压降、优化了器件正向压降和关断损耗的折中特性；并且由于本发明引入的异质结或肖特基接触在功能上可替代CS层，故有利于减小基区和漂移区形成PN结的电场强度以提高器件击穿电压；并使栅氧化层电场强度在安全值(3MV/cm)以下，从而保证了栅氧化层的可靠性。此外，该器件制作工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面型绝缘栅双极型晶体管，包括：金属化集电极(9)、第二导电类型半导体集电区(8)、第一导电类型半导体漂移区(6)、第二导电类型半导体基区(5)、第一导电类型半导体发射区(3)、平面栅结构和发射极金属(4)；金属化集电极(9)位于第二导电类型半导体集电区(8)的背面，第一导电类型半导体漂移区(6)位于第二导电类型半导体集电区(8)的正面；第二导电类型半导体基区(5)位于第一导电类型半导体漂移区(6)顶层的两侧；第一导电类型半导体发射区(3)位于第二导电类型半导体基区(5)的顶层，且与第一导电类型半导体漂移区(6)之间隔着第二导电类型半导体基区(5)；两侧第一导电类型半导体发射区(3)之间的第二导电类型半导体基区(5)上表面和第一导电类型半导体发射区(3)的部分上表面具有平面栅结构；两侧第一导电类型半导体发射区(3)外侧的第二导电类型半导体基区(5)上表面和第一导电类型半导体发射区(3)的部分上表面设置有发射极金属(4)；其特征在于：发射极金属(4)与第二导电类型半导体基区(5)之间还具有掺杂类型为第一导电类型或者第二导电类型的半导体层(11)，半导体层(11)所用半导体材料的禁带宽度小于第二导电类型半导体基区(5)所用半导体材料的禁带宽度，使半导体层(11)与第二导电类型半导体基区(5)在其接触界面形成同型异质结或异型异质结。
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