[发明专利]一种阵列F-P腔滤光片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811002071.X 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109031491A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 梁海锋;殷淑静;蔡长龙;段营部;刘卫国 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种阵列F‑P腔滤光片的制备方法,包括以下步骤:①软模具制造;②下反射膜堆制造:基底上采用热蒸发镀膜的方法制备F‑P窄带滤光片一侧的反射膜堆和腔层;③牺牲层制造:在腔层上旋涂牺牲胶层;④图形转移:把①制备好的软模具图形,通过自然加压的形式转移到3制备好的牺牲层上;⑤腔层厚度调控:采用离子束刻蚀工艺,把牺牲层的图形转移到腔层上,实现一次完成多通道腔层厚度的调整;⑥上反射膜堆制造:采用热蒸发的方法制备上面的反射膜堆,完成滤光片的制造。本发明方法克服了现有技术存在的滤光片中心波长的透过率低和中心波长位置不准确的问题。
搜索关键词: 制备 腔层 反射膜 牺牲层 制造 图形转移 滤光片 软模具 中心波长位置 离子束刻蚀 热蒸发镀膜 窄带滤光片 牺牲胶层 一次完成 多通道 腔滤光 热蒸发 透过率 基底 滤光 上旋 加压 调控
【主权项】:
1.一种阵列F‑P腔滤光片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①软模具制造:采用单点金刚石车削制造硬模具,模具图形对应需要调整各个通道的F‑P腔厚度,并用纳米压印的方法把图形转移到软模具上;②下反射膜堆制造:基底上采用热蒸发镀膜的方法制备F‑P窄带滤光片一侧的反射膜堆和腔层;③牺牲层制造:在腔层上旋涂牺牲胶层;④图形转移:把①制备好的软模具图形,通过自然加压的形式转移到3制备好的牺牲层上;⑤腔层厚度调控:采用离子束刻蚀工艺,把牺牲层的图形转移到腔层上,实现一次完成多通道腔层厚度的调整;⑥上反射膜堆制造:采用热蒸发的方法制备上面的反射膜堆,完成滤光片的制造。
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