[发明专利]用于确定工艺参数的方法和装置在审
申请号: | 201811002112.5 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109671624A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 亚辛·卡布兹;吕克·阿尔巴雷德 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;G06F17/50 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于确定工艺参数的方法和装置。提供了一种使用至少一个基于时间轨迹的预测模型来处理在处理室中的衬底的方法。对衬底进行干法处理,其中干法处理产生至少一种气体副产物。测量至少一种气体副产物的浓度。确定至少一种气体副产物的浓度的时间轨迹。确定的浓度的时间轨迹被提供作为用于至少一个基于时间轨迹的预测模型的输入,以获得至少一个工艺输出。至少一个工艺输出用于调整至少一个工艺参数。 | ||
搜索关键词: | 时间轨迹 气体副产物 方法和装置 干法处理 工艺输出 预测模型 衬底 测量 | ||
【主权项】:
1.一种使用至少一种基于时间轨迹的预测模型处理在处理室中的衬底的方法,其包括:干法处理衬底,其中所述干法处理产生至少一种气体副产物;测量所述至少一种气体副产物的浓度;获得所述至少一种气体副产物的所述浓度的时间轨迹;提供所述浓度的所获得的所述时间轨迹作为所述至少一个基于时间轨迹的预测模型的输入,以获得至少一个工艺输出;以及使用所述至少一个工艺输出来调整至少一个工艺参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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