[发明专利]存储器设备及其操作方法有效
| 申请号： | 201811002213.2 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109427398B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄广宇;刘海涛;合田晃 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/16;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及存储器设备及其操作方法。一些实施例包含设备和操作所述设备的方法。所述设备中的一些包含与介电材料的第一群组交错的导电材料的第一群组、延伸穿过导电材料的第一群组和介电材料的第一群组的第一柱、沿第一柱定位的存储器单元、耦合到导电材料中的一个的导电触点，以及延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组的第二柱。所述第二柱包含耦合到导电区的第一部分、第二部分和第三部分，以及耦合到导电触点的第四部分。所述第二部分位于第一和第三部分之间。所述第二部分具有小于第一和第四部分中的每一个的掺杂浓度的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 设备 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：导电材料的第一群组，其与介电材料的第一群组交错；第一柱，其延伸穿过所述导电材料的第一群组和所述介电材料的第一群组；存储器单元，其沿所述第一柱定位；导电触点，其耦合到所述导电材料的第一群组的导电材料；以及第二柱，其延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组，所述第二柱包含第一部分、第二部分和第三部分，以及第四部分，所述第二和第三部分位于所述第一和第四部分之间，并且所述第二部分位于第一和第三部分之间，其中所述第一部分耦合到导电区，以及所述第四部分耦合到导电触点，并且所述第二部分具有小于所述第一和第四部分中的每一个的掺杂浓度的掺杂浓度。
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