[发明专利]穿隧式场效晶体管在审
| 申请号： | 201811002450.9 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109860282A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 瑞姆瓦尔·彼德;麦特西亚斯帕斯拉克;吉尔本·朵尔伯斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/205;H01L21/331;H01L29/417;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种穿隧式场效晶体管包含第一源极/漏极层、第二源极/漏极层以及半导体中间层。第一源极/漏极层包含第一极性侧壁。第二源极/漏极层围绕第一源极/漏极层，第二源极/漏极层与第一源极/漏极层具相反导电类型，半导体中间层位于第二源极/漏极层与第一源极/漏极层的第一极性侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 场效晶体管 中间层 侧壁 穿隧 半导体 相反导电类型 | ||
【主权项】：
1.一种穿隧式场效晶体管，其特征在于，包含：一第一源极/漏极层，包含一第一极性侧壁；一第二源极/漏极层，环绕该第一源极/漏极层，其中该第二源极/漏极层与该第一源极/漏极层具相反导电类型；以及一半导体中间层，位于该第二源极/漏极层与该第一源极/漏极层的该第一极性侧壁之间。
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