[发明专利]一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811002973.3 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216435A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 马丽;张如亮;刘红艳;张超;康源;李旖晨 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括从上到下依次设置的MOS栅极区、N‑漂移区和P+集电极，P+集电极一侧依次设置有隔离区和N+短路区，隔离区将P+集电区和N+短路区隔离开；N+短路区上表面还设置有P‑stop层，N‑漂移区内还设置有N型浮置场阻止层。本发明还公开了该种一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管的制备方法，与常规RC‑IGBT相比，在相同结构参数下，阻断特性有所提升；正向导通特性中电压折回现象完全消除；本发明隔离区中采用Si3N4材料后，其逆向导通压降大大减小，因此具有Si3N4结构的一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管逆向导通功耗极大地减小。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极 绝缘栅双极型晶体管 逆导型 隔离 短路区 隔离区 依次设置 减小 制备 正向导通特性 漂移 从上到下 导通压降 结构参数 折回 浮置场 集电区 漂移区 上表面 阻止层 导通 功耗 | ||
【主权项】：
1.一种集电极隔离逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括从上到下依次设置的MOS栅极区(1)、N‑漂移区(2)和P+集电极(6)，所述P+集电极(6)一侧依次设置有隔离区(5)和N+短路区(7)、所述隔离区(5)将P+集电区(6)和N+短路区(7)隔离开；所述N+短路区(7)上表面还设置有P‑stop层(4)，所述隔离区(5)的顶面与P‑stop层(4)顶面位于同一平面，所述隔离区(5)的顶面位于N‑漂移区(2)内，所述N‑漂移区(2)内还设置有N型浮置场阻止层(3)，所述P‑stop层(4)和隔离区(5)位于N型浮置场阻止层(3)下方。
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