[发明专利]光罩在审
申请号: | 201811003099.5 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109752919A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 卓鸿文;梁辅杰;陈俊光;石志聪;陈立锐;郑博中;林进祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本公开部分实施例提供一种适用于搜集用于影像错误补偿的信息的光罩。上述光罩包括一基板。上述光罩还包括形成于基板上的一第一黑色边界结构以及一第二黑色边界结构。第一黑色边界结构以及第二黑色边界结构对基板的一中心同心分布。上述光罩也包括形成于基板上方的一第一图像结构以及一第二图像结构。第一图像结构以及第二图像结构各自代表着待图案化至一半导体晶圆的多个特征的图案。第二图像结构、第二黑色边界结构、第一图像结构及第一黑色边界结构在远离基板的中心的一方向上按序排列。 | ||
搜索关键词: | 黑色边界 图像结构 光罩 基板 半导体晶圆 按序排列 错误补偿 同心分布 对基板 图案化 影像 搜集 图案 | ||
【主权项】:
1.一种光罩,适用于搜集用于影像错误补偿的信息,包括:一基板;一第一黑色边界结构以及一第二黑色边界结构,形成于该基板上,其中该第一黑色边界结构以及该第二黑色边界结构对该基板的一中心同心分布;以及一第一图像结构以及一第二图像结构,形成于该基板的上方,并且该第一图像结构以及该第二图像结构各自代表着待图案化至一半导体晶圆的多个特征的多个图案;其中该第二图像结构、该第二黑色边界结构、该第一图像结构及该第一黑色边界结构在远离该基板的该中心的一方向上按序排列。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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