[发明专利]用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法在审
| 申请号： | 201811003455.3 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109023370A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵芬利 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为3～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前进行紫外灯照射，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻液 蚀刻 质量百分比 金属膜层 铜钼 过氧化氢的 紫外灯照射 过氧化氢 缓冲溶液 去离子水 氧化能力 调节剂 抑制剂 螯合剂 | ||
【主权项】：
1.一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，其特征在于，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2.5～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水。
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