[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811003587.6 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109148590A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;桑玲;李嘉琳;董少华;金锐;杨霏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：半导体层；栅极和源极，形成在所述半导体层上方；半导体区域，形成在栅极和源极之间的所述半导体层内，且所述半导体区域具有与所述栅极和/或所述源极交叠的部分；其中，所述半导体区域内的离子掺杂浓度为1E16‑5E21cm‑3，所述半导体区域与所述半导体层的导电类型相同。通过在栅极和源极之间的半导体层内形成半导体区域，该半导体区域具有与栅极和/或源极交叠的部分，其中，交叠部分的面积可以用于改变栅端和/或源端重合处的MOS电容，从而实现对栅控半导体器件的开关时间和开关损耗等开关特性的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 半导体层 源极 半导体器件 交叠 制备 半导体技术领域 导电类型 开关损耗 开关特性 离子掺杂 对栅 栅端 调制 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；栅极和源极，形成在所述半导体层上方；半导体区域，形成在栅极和源极之间的所述半导体层内，且所述半导体区域具有与所述栅极和/或所述源极交叠的部分；其中，所述半导体区域内的离子掺杂浓度为1E16‑5E21cm‑3，所述半导体区域与所述半导体层的导电类型相同。
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